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      深能級瞬態譜儀1半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態等的重要技術手段。根據半導體P-N 結、金-半接觸結構肖特基結的瞬態電容(△C~t)技術和深能級瞬態譜(DLTS)的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜

    • 界面力學分析儀

      界面力學分析儀可以用來直接測量表面(諸如:無機物,金屬,氧化物,聚合物,玻璃,生物分子界面等)間靜態力和動態力,并在分子級領域內研究界面和薄膜現象。模塊化的設計允許更多擴張功能和滿足客戶定制需求。

    • 俄歇電子能譜及低能電子衍射分析系統

      俄歇電子能譜及低能電子衍射分析系統電子槍: 型號 :帶可調焦距和束斑直徑的雙靜電透鏡 束流電壓:0-3KV 束流電流:大50uA 束流直徑:大800um 燈絲:鎢燈絲 磁罩:帶前置保護殼的Mu罩

    • 皮可安培計

      皮可安培計技術參數: 接口 輸入: BNC; 模擬輸出: Banana jacks 偏壓選項: 無偏壓/ 內置偏壓 (± 90 V DC)/ 外置偏壓 (BNC)

    • 皮可安培計(USB接口)

      皮可安培計(USB接口)技術參數: 接口 輸入: BNC; 模擬輸出 偏壓選項: 無偏壓/ 內置偏壓 (± 90 V DC)/ 外置偏壓 (BNC)

    • 深能級瞬態譜儀

      深能級瞬態譜儀是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態等的重要技術手段!測試功能:電容模式、定電容模式、電流模式、(雙關聯模式)、光激發模式、FET分析、MOS分析、等溫瞬態譜、Trap profiling、俘獲截面測量、I/V,I/V(T) 、C/V, C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子誘導瞬態譜、DLOS。

    • 光電子發射和低能量電子顯微鏡

      產品規格(PEEM)〈br〉br成像模式: 熱離子及光發射顯微技術, 光譜成像及能量分析 分辨率Resolution: 〈15 nm(保證), Z高達到 8.2 nm (16/84% criteria) 觀測視野: 2 - 150 µm 初始壓力: 〈 2 x 10-10 Torr

    • 多探針掃描探針顯微鏡(Multi-probe SPM)

      1)開放式構架,模塊化設計——從單探針開始升級到獨立雙探針系統,繼而升級到三探針、四探針系統〈br〉2)與光學顯微鏡完全兼容,這是由獨特的探針及掃描器設計所決定的〈br〉3)可在線與微拉曼光譜、掃描電鏡、聚焦離子束等技術聯用〈br〉4)探針掃描與樣品掃描可結合使用〈br〉5)除成像外,可結合使用多種類型探針,如近場光學探針、電學測量探針、熱傳導測量及納米加熱探針、化學傳輸探針等

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