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    俄歇電子能譜及低能電子衍射分析系統

    簡要描述:

    俄歇電子能譜及低能電子衍射分析系統電子槍:
    型號 :帶可調焦距和束斑直徑的雙靜電透鏡
    束流電壓:0-3KV
    束流電流:大50uA
    束流直徑:大800um
    燈絲:鎢燈絲
    磁罩:帶前置保護殼的Mu罩

    更新時間:2018-12-11

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    俄歇電子能譜及低能電子衍射分析系統
    俄歇電子能譜及低能電子衍射分析系統,又稱俄歇電子能譜AES及低能電子衍射LEED樣品表面深度分析系統?;诙硇娮幽茏VAES、低能電子衍射LEED、及氬離子濺射深度分布的分析系統,完成對薄膜及合金的元素組成和深度分布的分析。
    非接觸式測量薄膜及合金元素組成。
    帶樣品預抽真空室 (load-lock腔室)。

    特性:
    -對原子結構,元素組成和厚度分析達到“亞納米級”精度
    -大范圍樣品分析
    -半自動化操作


    系統特性
    俄歇電子能譜AES分析器
    分析器型號-延遲型區域分析器,自帶同軸電子槍
    能量分辨率:<5%
    工作距離 10mm
    檢測器: 1e7至1e8增幅范圍的電子倍增器通道
    安裝法蘭-4.5英寸O.D.標準CF法蘭(NW63CF)

    電子槍:
    型號 :帶可調焦距和束斑直徑的雙靜電透鏡
    束流電壓:0-3KV
    束流電流:最大50uA
    束流直徑:最大800um
    燈絲:鎢燈絲
    磁罩:帶前置保護殼的Mu罩

    深度離子濺射槍
    離子源  在磁場內電子沖擊形成離子
    離子化陰極  鎢-錸燈絲
    直接安裝于70mmO.D.CF法蘭
    束流電流:最大10 uA
    束流能量:0-3keV
    束流尺寸;直徑范圍5至25mm
    束流均勻度:<5%
    氣體輸入:經過泄漏閥氣體直接輸入至離子源
    安裝法蘭:23/4英寸(70mm)O.D.CF法蘭

    樣品傳遞操作
    樣品尺寸:尺寸從10mm-20mm
    樣品置入:單個樣品置入
    樣品傳輸:線型磁動樣品傳輸臂

    真空系統
    腔體:100mm焊接超高真空腔體(304不銹鋼)
    真空泵:60L/sec離子泵和50l/sec的分子泵,配備匹配的前級泵
    真空規:寬量程真空規

    真空兼容:超高真空材料
    烘烤:真空下可最高烘烤至250度

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