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    IG2離子源

    簡要描述:IG2離子源典型應用是氬離子濺射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型離子源)
    濺射清洗 /表面準備,用于表面科學, MBE ,高真空濺射過程
    離子輔助沉積
    離子束濺射鍍膜
    反應離子刻蝕

    • 產品型號:
    • 廠商性質:代理商
    • 更新時間:2019-02-26
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    詳細介紹

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    IG2離子源

    典型應用是氬離子濺射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型離子源)
    濺射清洗 /表面準備,用于表面科學,  MBE ,高真空濺射過程
    離子輔助沉積
    離子束濺射鍍膜
    反應離子刻蝕

    后排離子源與控制器

    RBD儀器的離子源包裝是在UHV條件下切割樣品的理想溶液。IG2離子源包裝包括模型04-165 2 KV BBV離子源和模型32-165離子源控制。這些標準可與PIP 04-161和04-162離子交換和PHIP 20-045控制,相應地互換。

    1401型離子槍非常適合用于表面化學實驗,如用螺旋鉆和XPS制備樣品和深度剖面。它可以與大多數惰性氣體一起使用。

    1407型離子槍在電子碰撞電離離子槍中具有雙等離子管性能。利用光學柱中可變光闌,可以獲得大范圍的光束電流和光斑尺寸。當光束能量為5 kev時,光束電流可從2 uA調整為20 um直徑的光斑,從20 uA調整為100 um直徑的光斑。

    1402型離子槍的特點是光束能量非常低時的遠光電流。它還可以在高光束能量(高達3 kev)下運行,以提供額外的深度輪廓和樣品清洗能力。

    3KV離子源
    RBD目前提供了一個3 KV離子源掃描裝置,其中包括電子電荷源、電源和電纜。設計為一個低的100次,3 KV離子源提供了一個寬10毫米口徑尺寸,并與所有惰性Gasses兼容,不需要微分泵。

    該包包括離子源、電子控制單元、三色電流、開鎖、操作手動和一種防偽絲組裝。

     

    高性價比

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