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    半導體晶片基底厚度測量

    簡要描述:

    此系統專業用于晶片基底厚度,彎曲/平坦度,表面型貌,表面粗糙度檢測。

    更新時間:2017-07-16

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    應用先進的SCI測試技術,*次實現了在高反饋速率下(16KHz),得到高精度的分析(50nm)。
    任何晶片基底厚度超過3um的,均可以用此設備研究。同時可以得到表面細微缺陷型貌圖。晶片大小尺寸從2“到12"均可手動放置分析測試,6“到12"有全自動在線分析系統,專業應用于半導體生產企業。升級型號還配置上下兩個光學探頭,可分別從晶片兩面原位分析,同時可以得到金屬層厚度和晶片總厚度。此系統在半導體檢測行業是一個革新性的設備。
    產品特性:
    1, 多種掃描模式,可以精細掃描到幾百萬個點。
    2, 可以配置CCD相機選定和觀測掃描區域
    3, 提供詳細的指標數據,包括:于晶片厚度,彎曲/平坦度,表面型貌,表面粗糙度檢測
    4, 可得到2維的彩色對比圖,反應整個晶片的厚度分布;3維的彩色型貌,反應整個晶片的表面分布
    5, ASCII和EXCEL數據輸出格式
    6, 非常方便驗證數據的準確性
    7, 具有內部聯網功能hspace=0

    產品規格:
    1, zui小厚度層:3um
    2, 光斑大?。?0um
    3, zui大檢測速率:4KHz, 16KHz(因型號而異)
    4, 準確性:0.2um
    5, 重復性:0.05um,0.1um(因型號而異)
    6, 相干光波長:1300nm

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